Skip to content

Элементы памяти на эффекте туннельного магнитосопротивления Александр Костров

Скачать книгу Элементы памяти на эффекте туннельного магнитосопротивления Александр Костров rtf

Время выборки данных у MRAM — менее 10 нс, что в 5 раз меньше, чем у флэш-памяти, а время записи меньше 2 нс — на три порядка меньше, чем у флэш-памяти. B, 39 Разработка элементов памяти, сочетающих в себе преимущества всех распространенных технологий хранения информации — актуальная задача современной микро- и наноэлектроники. Элементы памяти на эффекте туннельного магнитосопротивления. В книге рассматриваются конструкции запоминающих устройств, электрические эквивалентные схемы ячеек памяти.

Другие виды памяти, например, оперативная память DRAM dynamicrandom access memoryявляются более простыми и дешевыми, но и более медленными.

Авторы: Александр Костров.  Если Вы не читали «Элементы памяти на эффекте туннельного магнитосопротивления», Вы можете приобрести её в следующих магазинах Читать ещёАвторы: Александр Костров.

Год: ISBN:   Если Вы не читали «Элементы памяти на эффекте туннельного магнитосопротивления», Вы можете приобрести её в следующих магазинах: Купить «Элементы памяти на эффекте туннельного магнитосопротивления», Александр Костров в магазинах: RU. mir-introverta.ru руб. При покупке в этом магазине Вы возвращаете на личный счет BM и становитесь претендентом на приз месяца от mir-introverta.ru! Скрыть. Оптимальной с точки зрения создания универсального запоминающего устройства является технология энергонезависимой памяти на эффекте туннельного магнитосопротивления, сочетающая в  Russian.

By (author): Александр Костров. Читать ещёОптимальной с точки зрения создания универсального запоминающего устройства является технология энергонезависимой памяти на эффекте туннельного магнитосопротивления, сочетающая в себе такие качества, как хранение данных неограниченное время без необходимости регенерации, высокое быстродействие, неограниченное число циклов чтения/записи и возможность совмещения с КМОП технологическим процессом изготовления.

В книге рассматриваются конструкции запоминающих устройств, электрические эквивалентные схемы ячеек памяти.  Russian. By (author): Александр Костров.

Number of pages: Скрыть. эффекте туннельного магнитосопротивления» автора Александр Костров и  Мы бесплатно доставим книгу «Элементы памяти на эффекте туннельного  Разработка элементов памяти, сочетающих в себе преимущества всех Читать ещёКупить книгу «Элементы памяти на эффекте туннельного магнитосопротивления» автора Александр Костров и другие произведения в разделе Книги в интернет-магазине mir-introverta.ru Доступны цифровые, печатные и аудиокниги.

На сайте вы можете почитать отзывы, рецензии, отрывки. Мы бесплатно доставим книгу «Элементы памяти на эффекте туннельного магнитосопротивления» по Москве при общей сумме заказа от рублей. Возможна доставка по всей России.  Разработка элементов памяти, сочетающих в себе преимущества всех распространенных технологий хранения информации – актуальная задача современной микро- и наноэлектроники.

Скрыть. Костров А.И.1, Данилюк А.Л.1, Стемпицкий В.Р.1, Борисенко В.Е.1 1 Белорусский государственный  Разработана динамическая поведенческая модель ячейки спиновой памяти на эффекте туннельного магнитосопротивления.

Читать ещёКостров А.И.1, Данилюк А.Л.1, Стемпицкий В.Р.1, Борисенко В.Е.1 1 Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники. Тип: статья в журнале - научная статья Язык: русский.

Номер: 1 Год: Страницы:   Разработана динамическая поведенческая модель ячейки спиновой памяти на эффекте туннельного магнитосопротивления. Модель реализует магнитную гистерезисную и временную характеристики на основе уравнения Ландау-Лифшица-Гильберта. Применение модели продемонстрировано для элемента памяти MRAM нового поколения в интегральном исполнении на кремнии. Скрыть. Бумажная версия. Автор: Александр Костров.  с точки зрения создания универсального запоминающего устройства является технология энергонезависимой памяти на эффекте туннельного магнитосопротивления, сочетающая в себе Читать ещёБумажная версия.

Автор: Александр Костров. ISBN: Год издания:   Оптимальной с точки зрения создания универсального запоминающего устройства является технология энергонезависимой памяти на эффекте туннельного магнитосопротивления, сочетающая в себе такие качества, как хранение данных неограниченное время без необходимости регенерации, высокое быстродействие, неограниченное число циклов чтения/записи и возможность совмещения с КМОП технологическим процессом изготовления.

В книге рассматриваются конструкции запоминающих устройств, электрические эквивалентные схемы ячеек памяти. Скрыть. Оптимальной с точки зрения создания универсального запоминающего устройства является технология энергонезависимой памяти на эффекте туннельного магнитосопротивления, сочетающая в  Александр Костров. Количество страниц Читать ещёОптимальной с точки зрения создания универсального запоминающего устройства является технология энергонезависимой памяти на эффекте туннельного магнитосопротивления, сочетающая в себе такие качества, как хранение данных неограниченное время без необходимости регенерации, высокое быстродействие, неограниченное число циклов чтения/записи и возможность совмещения с КМОП технологическим процессом изготовления.

В книге рассматриваются конструкции запоминающих устройств, электрические эквивалентные схемы ячеек памяти.  Александр Костров. Количество страниц: Скрыть. Аннотация — Разработана динамическая поведен-ческая модель ячейки спиновой памяти на эффекте туннельного магнитосопротивления.  Пара-зитные эффекты ячейки памяти включены в элементы эквивалентной схемы. а). Читать ещёАннотация — Разработана динамическая поведен-ческая модель ячейки спиновой памяти на эффекте туннельного магнитосопротивления.

Модель реализует магнитную гистерезисную и временную характеристики на основе уравнения Ландау-Лифшица-Гильберта. Применение модели продемонстрировано для элемента памяти MRAM нового поколения в интегральном ис-полнении на кремнии.  Пара-зитные эффекты ячейки памяти включены в элементы эквивалентной схемы.

а). б) Рис. 2. Структурная схема блока памяти MRAM (а) и. Скрыть. Александр Костров. Купить.  Оптимальной с точки зрения создания универсального запоминающего устройства является технология энергонезависимой памяти на эффекте туннельного магнитосопротивления, сочетающая в себе Читать ещёАлександр Костров. Купить. от 5 руб.  Оптимальной с точки зрения создания универсального запоминающего устройства является технология энергонезависимой памяти на эффекте туннельного магнитосопротивления, сочетающая в себе такие качества, как хранение данных неограниченное время без необходимости регенерации, высокое быстродействие, неограниченное число циклов чтения/записи и возможность совмещения с КМОП технологическим процессом изготовления.

В книге рассматриваются конструкции запоминающих устройств, электрические эквивалентные схемы ячеек памяти. Скрыть.